Engineer Internship: Investigation of Radar Front End circuitry Immunity from 1 M Hz up to 18 GHz

NXP is one of the leading companies in the semiconductor industry, dedicated to delivering embedded solutions in large and growing markets such as automotive, secure circuits and wireless communications.

The « Advanced Analog » department develops high performance analog solutions for automotive and industrial electronic applications. On Toulouse site, the engineering teams are creating innovating applications with high level of integration of analog mixed-signal and power electronic.

The ESD/EMC (ElectroStatic Discharge / ElectroMagnetic Compatibility) team designs, tests and integrates solutions to guarantee robustness and operation of these products subject to ElectroStatic and ElectroMagnetic aggressions. To do so, the team develops simulations methods to predict the electromagnetic behavior of integrated circuits present in stressful environment. Dedicated EMC measurements laboratory is used by the team to evaluate the performances of automotive embedded systems : sensors, driving assistance with RADAR, battery management for electrical vehicle, supply circuits, UWB and NFC communication.

In this context, the intern will join the ESD/EMC team to participate in the evaluation of Radar Front End architecture immunity. These investigations will enhance EMC performances of NXP ADAS circuits and anticipate future EMC challenges (such as interference generated by other radars, 5G, radio transceiver, lightning transient stress).

Your Responsibilities

During this internship, you will participate in the investigation of EMC immunity up to 18 GHz of different ADAS products and compare EMC performances. To evaluate this behavior, different EM test setups including a Near Field Scan table operating from 1 MHz up to 6 GHz will be used. Simulations will also be performed to understand and reproduce behavior observed in the laboratory.

Perform testing, understand the coupling mechanism leading to failures and propose solutions to enhance the immunity level of devices are the main achievements to be reached during this internship.

You will:

• Learn how to use the Near Field scan : theory of coupling depending on probes, impact of different parameters, sources setting

• Understand on how Radar Front End circuitry operates in such automotive products. Identify key parameters of ADAS device to be considered and monitored during immunity testing

• Perform bibliography of potential future EMC perturbations : inside / outside the car

• Identify coupling mechanism by performing correlation between measurement and simulation.

• Performing electric simulation at bloc level to reproduce behaviors and improve EMC performances of the device.

Your Profile
Education level : Bac +5, last year of engineering school or master degree in analog electronics/microelectronics/EMC

Experience / Knowledge: RF / microelectronic measurements / electronics / simulations / Notions of EMC

A good level of English is required, working in an international multi-site team.

Stage ingénieur : Investigation de l’immunité des blocs HF présent dans les circuits RADAR dans la gamme 1 MHz – 18 GHz

Contexte

NXP est l'une des principales sociétés de l'industrie des semi-conducteurs, élaborant des solutions embarquées sur des marchés importants et en croissance tels que l'automobile, les circuits sécurisés et les communications sans fil.

La division « Advanced Analog» développe des circuits analogiques hautes performances pour le secteur électronique automobile et industriel. Les 400 personnes du pôle de Toulouse créent des applications innovantes à forte intégration en électronique analogique mixte et de puissance.

L'équipe ESD/EMC (ElectroStatique Discharge / ElectroMagnetic Compatibility) conçoit, teste et intègre des solutions garantissant la robustesse et le fonctionnement de ces produits soumis à des agressions électrostatiques et électromagnétiques. Pour se faire, Elle développe également des méthodes de simulation afin de prédire le comportement électromagnétique des circuits intégrés présents dans un environnement stressant. Des moyens d’essai sont disponibles sur le site de Toulouse afin de pouvoir évaluer les performances de systèmes électroniques destinés à être intégrés dans des plateformes conçus pour l’automobile tels que : capteurs, système d’aide à la conduite avec radars, gestion de la batterie pour véhicule électrique, circuits d'alimentation, communication UWB et NFC.

Dans ce contexte, le stagiaire rejoindra l’équipe ESD/EMC pour participer à l’évaluation de l’immunité des circuits Haute Fréquence présents dans les circuits intégrés de type Radar. Ces investigations serviront à améliorer les performances CEM des circuits RADAR et anticiper les futurs défis (comme par exemple les interférences 5G, RADAR, et les stress foudre).

Vos Missions

Durant ce stage, vous participerez aux investigations ayant pour but d’étudier et caractériser l’immunité de différents circuits RADAR sur la bande 1 MHz – 18 GHz pour ensuite les comparer. Pour réussir cet objectif, différents moyens de test CEM dont un Scanner Champ proche seront utilisés. Des simulations EM et électriques seront aussi réalisés afin de mieux comprendre les phénomènes observés et améliorer les performances du circuit.

Réaliser les essais, comprendre les mécanismes de couplage, proposer des solutions pour améliorer le niveau d’immunité des circuits RADAR, sont les principaux objectifs que devra conduire le stagiaire.

Le stagiaire devra :

• Apprendre à se servir des différents moyens d’essai CEM

• Comprendre le fonctionnement des circuits RADAR front end dans les applications liés à l’automobile. Identifier les paramètres majeurs à monitorer durant les essais d’immunité.

• Réaliser une bibliographie sur les perturbations CEM potentielles présents à l’intérieur et extérieur de la voiture.

• Caractériser différents produits RADAR et étudier l’impact des structures des blocs HF.

• Identifier les mécanismes de couplage et effectuer un travail de corrélation entre mesures et simulation.

• Réalisation de simulation electrique au niveau bloc afin de modéliser les effets observés et améliorer les performances CEM du circuit.

Votre Profil

Niveau d’études : Bac + 5, dernière année d’école d’ingénieur en électronique et/ou compatibilité électromagnétique

Connaissances souhaitées : Mesures radio fréquence- électronique/microélectronique / simulation / Notions en CEM des composants.

Un bon niveau d’anglais est exigé (collaboration multi-site)

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